FMS 2026存储峰会聚焦AI内存墙：HBF标准首发，三星、SK海力士、美光同步扩产
峰会背景：全球存储产业聚焦AI内存墙
2026年8月4日至6日，第21届全球最大的独立存储产业峰会FMS（Flash Memory Summit）在美国圣克拉拉举行。本届峰会的核心议题围绕“AI内存墙”展开，存储性能与架构创新成为决定AI算力能否充分释放的关键因素。
HBF标准首发：SK海力士与闪迪定义新层级
SK海力士与闪迪联合通过开放计算项目（OCP）发布了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。该标准支持8层与16层堆叠，单颗容量最高达512GB，读取带宽区间为0.4–3.0 TB/s，上限已进入HBM4带宽范围。值得注意的是，HBF官方定位为HBM之下的新增层级，并非DRAM替代品，其底层仍基于闪存介质，在延迟和写入寿命方面与DRAM存在显著差距。
三星推400层BV-NAND，探索未来架构
三星在峰会上发布了V10 BV-NAND，堆叠层数突破400层，首次采用晶圆键合工艺实现垂直堆叠。此外，三星还预览了zHBM与zNAND-O两项概念技术，目前均处于研发阶段，尚未进入量产。与此同时，三星计划将其HBM月产能从约17万片晶圆提升至25万片，增幅达47%，目标在2026年底前完成扩产。
铠侠整合液冷技术，突破散热瓶颈
铠侠推出CM10企业级SSD，首次将PCIe 6.0接口、332层BiCS10 NAND与直接冷板液冷技术集成于一体。此举标志着散热设计已从GPU延伸至存储设备，反映出AI系统对整机热管理的全面升级需求。
行业趋势：产能押注早于需求兑现
尽管三家巨头技术路线互不兼容、行业标准尚未收敛，却已同步推进大规模产能扩张。MSX研究院指出，这一现象表明AI存储需求已被共同确认，但产能决策远早于实际需求兑现，正是存储行业周期波动的根源。短期看，扩产是信心信号；中期看，供给节奏能否匹配AI算力增长，将成为本轮周期的核心变量。
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