DRAM ETF发行方：AI驱动存储芯片行业结构性变革，三巨头迈入万亿市值新时代

三巨头集体迈入万亿美元俱乐部

全球三大存储芯片制造商——三星电子（005930 KS）、SK 海力士（000660 KS）和美光（MU）——市值全部突破 1 万亿美元，加入了一个极其稀有的企业俱乐部。这一里程碑引发市场广泛关注，也招致部分机构对行业基本面的质疑。

晨星警示：历史周期不可忽视

晨星（Morningstar）近期发文提醒投资者警惕存储行业的传统风险：一是该行业长期受繁荣-萧条周期困扰；二是存储芯片被视为大宗商品，缺乏护城河；三是当前涨势可能由AI动量驱动而非扎实盈利支撑；四是估值已大幅飙升，或已透支未来增长。

Roundhill反驳：AI重塑供需结构

作为DRAM ETF的发行方，Roundhill Investments认为“这一次真的不同”。过去的需求爆发源于消费电子换代（如Windows 95或iPhone存储升级），而如今存储需求绑定于AI基础设施的算力扩张，市场规模与持续性远超以往。自2024年1月以来，DRAM与NAND价格已上涨超5倍，超大规模客户开始签订具有“强互惠承诺”的长期供应协议，这在历史上极为罕见。

HBM构筑技术护城河

驱动AI系统的高带宽内存（HBM）制造极其复杂，全球几乎全部产能由三星、SK海力士和美光掌控。高盛数据显示，三巨头垄断HBM市场，新玩家难以短期切入。SK海力士目前占据约58%份额，并计划五年内晶圆产能翻倍，但仍预警供给短缺将持续至2030年。此外，ASML的EUV光刻机交付周期超12个月，设备瓶颈进一步限制产能扩张。

盈利前景创历史新高

彭博一致预期显示，到2027年，三家公司合计净利润将达到7040亿美元，总营收超1万亿美元，有望跻身全球最赚钱企业前十。其营业毛利率已超越2018年高点，创下行业历史纪录。即便AI增长放缓，行业也有望维持在一个前所未有的高盈利基线之上。

估值框架亟需更新

尽管股价大涨，DRAM ETF持仓的中位NTM市盈率仅为8.37倍，显著低于更广泛的科技板块，而当前财年中位每股盈利（EPS）增速高达632%。Roundhill指出，用旧周期的估值逻辑评判当前存储股已不合时宜，历史估值惯例与强劲基本面之间的落差正是投资机会所在。

结论：新时代而非泡沫

Roundhill强调，当前存储股的上涨并非投机泡沫，而是由AI基建带来的结构性盈利提升所驱动。制造壁垒、长期协议与供给刚性共同终结了旧有周期逻辑。一个在繁荣与萧条中挣扎数十年的行业，正迎来由技术壁垒和高确定性需求支撑的新盈利时代。

⚠️ 编辑注：本文作者为Roundhill Investments成员，该公司发行并管理DRAM ETF，立场天然偏多，读者应结合晨星等第三方观点综合判断。